Samsung bejelentette, hogy elkezdte tömeges gyártását az új, 9. generációs függÅ‘leges NAND (V-NAND) memóriachipeknek. Ezeknek az új termékeknek 50%-kal magasabb bit sűrűségük van, mint az 8. generációs termékeknek.
Emellett a 9. generációs termékek támogatják az új NAND flash interfészt, amelyet "Toggle 5.1"-nek neveznek, és akár 3,2 Gbps adatátviteli sebességet tesz lehetÅ‘vé, ez 33%-kal magasabb, mint az elÅ‘zÅ‘ generációké. Mindemellett az új chipek 10%-kal hatékonyabbak az energiát illetÅ‘en.
A 9. generációs V-NAND sok munkát igényelt. A Samsung új innovációkat használt, mint a cellainterferencia elkerülését és a cellaélettartam-hosszabbítást. Emellett a cég kihasználta fejlett csatorna lyukmarás technológiáját is, amely segít maximalizálni a gyártási hatékonyságot a gyárban. Az új, gyorsabb, nagyobb kapacitású V-NAND chipeket olyan termékekben fogják használni, mint a nagy teljesítményű SSD-k. A Samsung tervezi a PCIe 5.0 támogatásának kiterjesztését, hogy kihasználja az extra sebességet.
Jelenleg a cég tömegesen gyártja a 9. generációs, 1Tb-os V-NAND chipeket háromszintű cellákkal (TLC). Az év második felében pedig elkezdi gyártani ezeknek a chipeknek a négyszintű cellás (QLC) változatát is.
