Ahogy az köztudott, az androidos mobilgyártók, hogyha felsőkategóriás készüléket terveznek kiadni, szinte kivétel nélkül a Qualcomm egyik termékét választják. 2017-ben a legtöbb ilyen kategóriájú modellbe a Snapdragon 835 kerül majd, amely – akárcsak a Snapdragon 820 – a Samsunggal együtt készült. A Samsung októberben jelentette be, hogy az iparágban elsőként megkezdi a 10 nanométeres FinFET technológia tömeggyártását. A korábbi, 14 nanométeres FinFET technológiával összehasonlítva a Samsung 10 nanométeres technológiájával akár 30 százalékos növekedés érhető el a helykihasználási hatékonyság területén, 27 százalékkal nagyobb teljesítmény, vagy akár 40 százalékkal alacsonyabb energiafelhasználás mellett.
A 10 nm FinFET technológia alkalmazásával a Snapdragon 835 processzorhoz kisebb méretű chip is elegendő lesz, így a hardvergyártók több hasznosítható hellyel gazdálkodhatnak új termékeik esetében, ami lehetővé teszi nagyobb akkumulátorok elhelyezését vagy vékonyabb termékek előállítását. A feldolgozási fejlesztések és a fejlettebb kialakítású chipek várhatóan jelentős javulást eredményeznek az akkumulátorok élettartamában.
Ezzel együtt az új processzor támogatja a Qualcomm Quick Charge 4.0 gyorstöltési technológiát, mely húsz százalékkal gyorsabb mint az előd QC 3.0 és kompatibilis a C típusú USB porttal felszerelt telefonokkal.
